RSDFT講習会(中級)~第一原理計算で半導体の物性を計算しよう~

開催概要

RSDFTは密度汎関数法に基づく第一原理電子状態計算プログラムです。実空間グリッドで計算を行うため高速フーリエ変換が不要であり、高い並列数で大規模系を処理可能です。本講習会では、RSDFT開発者を講師陣とし、最先端の研究成果の紹介と、シリコン、SiCなどを例に、FOCUSスパコンによる実習を行います。半導体の微細化、界面・表面物性などに興味のある方は、是非ご参加ください。


【日 時】
2019年2月25日 (月)
 10:00 ~ 17:10
【会 場】
東京大学柏の葉キャンパス駅前サテライト2F 205号室
【定 員】
10名
【参加費】
43,200円(税込)
【対 象】 第一原理計算でシリコンや化合物半導体等の大規模系の物性を計算したい方
       実習ではLinuxおよびLinux上でのエディター等の知識が必要
 
・当日の受付開始時間 9:30
・交流会(17:10~18:00)参加者は会費 1,000円(当日徴収)
会場へのアクセス
 (秋葉原からつくばエクスプレスで約30分の「柏の葉キャンパス駅」より徒歩1分)

【主 催】 東京大学 物性研究所 計算物質科学研究センター(CCMS)
【共 催】 公益財団法人 計算科学振興財団(FOCUS)
プログラム

10:00~12:00  講義:RSDFTを活用した最先端研究の紹介(Si、C、SiC、GaN等を予定)
13:00~17:00  実習:RSDFTの利用方法・テスト計算・応用計算(Si、SiCを予定)
17:00~17:10  FOCUSスパコン利用例紹介
17:10~18:00  交流会

申込締切

2019年2月20日(水) 10:00

詳細 / お申込み

 
 

お問合せ

計算科学振興財団  講習会窓口
lecture[at]j-focus.or.jp([at]を@に変更してください)


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